IRF 840 TO220 TRANZYSYTOR N-MOSFET; unipolarny; 500V; 5,1A; Idm: 32A; 125W
IRF 840 TO220 TRANZYSYTOR N-MOSFET; unipolarny; 500V; 5,1A; Idm: 32A; 125W
IRF 840 TO220 TRANZYSYTOR N-MOSFET; unipolarny; 500V; 5,1A; Idm: 32A; 125W
Poprzedni
Następny
IRF 840 TO220 TRANZYSYTOR N-MOSFET; unipolarny; 500V; 5,1A; Idm: 32A; 125W
IRF 840 TO220 TRANZYSYTOR N-MOSFET; unipolarny; 500V; 5,1A; Idm: 32A; 125W
IRF 840 TO220 TRANZYSYTOR N-MOSFET; unipolarny; 500V; 5,1A; Idm: 32A; 125W

IRF 840 TO220 TRANZYSYTOR N-MOSFET; unipolarny; 500V; 5,1A; Idm: 32A; 125W

Indeks 01-158-00
  • Wysyłka w 24h
Ocena
Dostępny
Ilość sztuk w magazynie: 11 Przedmioty

Cena brutto [PLN/szt]

6,22 zł
Brutto

Ilość sztuk

Dodaj do koszyka

IRF 840 TO220 TRANZYSYTOR  N-MOSFET; unipolarny; 500V; 5,1A; Idm: 32A; 125W

  • Typ tranzystora, N-MOSFET,
  • Polaryzacja, unipolarny,
  • Napięcie dren-źródło, 500V,
  • Prąd drenu, 5,1A,
  • Prąd drenu w impulsie, 32A,
  • Moc rozpraszana, 125W,
  • Obudowa, TO220AB,
  • Napięcie bramka-źródło, ±30V,
  • Rezystancja w stanie przewodzenia, 850mΩ,
Obudowa tranzystora TO220

IRF 840 TO220 TRANZYSYTOR  N-MOSFET; unipolarny; 500V; 5,1A; Idm: 32A; 125W

  • Producent, VISHAY,
  • Typ tranzystora, N-MOSFET,
  • Polaryzacja, unipolarny,
  • Napięcie dren-źródło, 500V,
  • Prąd drenu, 5,1A,
  • Prąd drenu w impulsie, 32A,
  • Moc rozpraszana, 125W,
  • Obudowa, TO220AB,
  • Napięcie bramka-źródło, ±30V,
  • Rezystancja w stanie przewodzenia, 850mΩ,
  • Montaż, THT,
  • Ładunek bramki, 38nC,
  • Rodzaj opakowania, tuba,
  • Rodzaj kanału, wzbogacany,
  • Grubość radiatora, 1,14...1,4mm,