IRF 640N TO220 N-MOSFET 200V 20V 150mOhm 18A 150W
IRF 640N TO220 N-MOSFET 200V 20V 150mOhm 18A 150W
IRF 640N TO220 N-MOSFET 200V 20V 150mOhm 18A 150W
IRF 640N TO220 N-MOSFET 200V 20V 150mOhm 18A 150W
Poprzedni
Następny
IRF 640N TO220 N-MOSFET 200V 20V 150mOhm 18A 150W
IRF 640N TO220 N-MOSFET 200V 20V 150mOhm 18A 150W
IRF 640N TO220 N-MOSFET 200V 20V 150mOhm 18A 150W
IRF 640N TO220 N-MOSFET 200V 20V 150mOhm 18A 150W

IRF 640N TO220 N-MOSFET 200V 20V 150mOhm 18A 150W

Indeks 01-155-01
  • Wysyłka w 24h
Ocena
Dostępny
Ilość sztuk w magazynie: 11 Przedmioty

Cena brutto [PLN/szt]

4,70 zł
Brutto

Ilość sztuk

Dodaj do koszyka
  • Rezystancja otwartego kanału: 150mOhm
  • Maksymalny prąd drenu: 18A
  • Maksymalna tracona moc: 150W
  • Obudowa: TO220
  • Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
  • Typ tranzystora: N-MOSFET

Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640NPBF; IRF 640 N;

  • Rezystancja otwartego kanału: 150mOhm
  • Maksymalny prąd drenu: 18A
  • Maksymalna tracona moc: 150W
  • Obudowa: TO220
  • Producent: Infineon (IRF)
  • Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
  • Typ tranzystora: N-MOSFET
  • Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
  • Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
  • Montaż: THT